2023年3月30日，由TrendForce集邦咨詢(xún)旗下LEDinside、WitsView主辦的集邦咨詢(xún)新型顯示產(chǎn)業(yè)研討會(huì)圓滿(mǎn)召開(kāi)，上千名產(chǎn)業(yè)上下游代表共襄盛舉，共論新型顯示行業(yè)未來(lái)。晶能光電外延工藝經(jīng)理周名兵參加會(huì)議并分享了干貨滿(mǎn)滿(mǎn)的《硅襯底GaN LED技術(shù)于Mini/Micro LED產(chǎn)業(yè)應(yīng)用機(jī)遇與挑戰(zhàn)》。

Micro LED作為“終極顯示技術(shù)”其在未來(lái)?yè)碛星|級(jí)的市場(chǎng)，報(bào)告指出了Micro LED的優(yōu)勢(shì)及面臨的挑戰(zhàn)。面向AR應(yīng)用，Micro LED在亮度、能效、可靠性、響應(yīng)時(shí)間、色彩飽和度、厚度、尺寸等方面具有優(yōu)異的性能，市場(chǎng)潛力巨大，但目前也存在較大的技術(shù)挑戰(zhàn)，包括有效EQE有待提升；生產(chǎn)成本高，生產(chǎn)良率低；亮度一致性差；灰度響應(yīng)/亮度漸變效果差；尚無(wú)理想的全彩方案等。

大尺寸硅襯底GaN LED技術(shù)已經(jīng)成為開(kāi)發(fā)面向AR微顯Micro LED的主流路線，國(guó)內(nèi)外大多數(shù)的Micro LED公司都在研究，主要是基于硅襯底的Micro LED具有大尺寸、低成本、高波長(zhǎng)一致性、無(wú)損去除、低翹曲、CMOS兼容性等優(yōu)點(diǎn)。

晶能光電在硅襯底GaN技術(shù)領(lǐng)域已深耕近二十年，在藍(lán)光LED領(lǐng)域率先實(shí)現(xiàn)全球產(chǎn)業(yè)化。公司將硅襯底GaN根技術(shù)應(yīng)用于Micro LED，于2021年9月成功制備了RGB硅襯底Micro LED陣列，邁出了全彩化Micro LED芯片的關(guān)鍵性一步，成為全球第二家、國(guó)內(nèi)第一家掌握硅襯底R(shí)GB三色Micro LED芯片技術(shù)的公司。

對(duì)于實(shí)現(xiàn)全彩Micro LED來(lái)說(shuō)，紅光LED是Micro LED技術(shù)的重大瓶頸之一，其效率、FWHM和波長(zhǎng)漂移將會(huì)面臨重大挑戰(zhàn)。晶能光電在InGaN紅光LED外延方面取得了峰值EQE11.8%@1mm2的成果，處于行業(yè)領(lǐng)先水平。目前，晶能光電可向國(guó)內(nèi)外客戶(hù)提供標(biāo)準(zhǔn)厚度8英寸RGB InGaN LED外延片。

今年初，晶能光電開(kāi)發(fā)出5 微米pitch的像素矩陣，年底將發(fā)布帶驅(qū)動(dòng)的RGB三色陣列。接下來(lái)，我們將運(yùn)用硅襯底Micro LED顯示技術(shù)，在AR眼鏡、矩陣車(chē)燈、HUD等方向，探究硅襯底Micro LED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。

資料來(lái)源：LEDinside